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IXFN230N20T
MOSFET Transistor, N Channel, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩48,768 |
| 5+ | ₩47,099 |
| 10+ | ₩45,430 |
| 50+ | ₩43,761 |
| 100+ | ₩42,162 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXFN230N20T
주문 코드3930243
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id220A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.09kW
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
제품 개요
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- GigaMOS™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.09kW
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
220A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001