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IXFN38N100P
MOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
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제조업체 표준 리드 타임: 40주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩66,898 |
| 5+ | ₩63,971 |
| 10+ | ₩61,043 |
| 50+ | ₩58,116 |
| 100+ | ₩55,188 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXFN38N100P
주문 코드3930411
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds1kV
Drain Source On State Resistance0.21ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation1kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
N-channel enhancement mode fast intrinsic rectifier suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor control, high speed power switching application.
- Polar™ HiperFET™ power MOSFET
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low package inductance
- Low RDS(on) and QG
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1kW
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.21ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001