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IXTN110N20L2
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩75,715 |
| 5+ | ₩68,994 |
| 10+ | ₩62,272 |
| 50+ | ₩58,996 |
| 100+ | ₩55,719 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTN110N20L2
주문 코드3930140
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation735W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
제품 개요
N-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated suitable for use in programmable loads, current regulators, DC-DC converters, battery chargers, DC choppers, temperature and lighting controls applications.
- Linear L2™ power MOSFET w/extended FBSOA
- Designed for linear operation
- Guaranteed FBSOA at 75°C
- Moulding epoxy meets UL94 V-0 flammability classification
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
735W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001