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IXTP32P20T
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩15,305 |
| 5+ | ₩11,924 |
| 10+ | ₩8,543 |
| 50+ | ₩8,410 |
| 100+ | ₩8,276 |
| 250+ | ₩8,142 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTP32P20T
주문 코드3930252
Product RangeTrenchP Series
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchP Series
Qualification-
제품 개요
P-channel enhancement mode avalanche rated TrenchP™ power MOSFET suitable for use in high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- Extended FBSOA
- Fast intrinsic diode
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchP Series
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000476