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2N7000-G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Through Hole
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제품 정보
제조업체MICROCHIP
제조업체 부품 번호2N7000-G
주문 코드2775063
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
- 60V, 5ohm, N-channel, enhancement-mode, vertical DMOS FET
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Low CISS and fast switching speeds
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and high gain
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
2N7000-G의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000907