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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pins
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제품 정보
제조업체MICRON
제조업체 부품 번호MT53E256M32D2DS-053 AIT:B복사
제조업체 표준 리드 타임52주
주문 코드3530743
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density8Gbit
Memory Configuration256M x 32bit
Clock Frequency Max1.866GHz
IC Case / PackageWFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
제품 개요
- Automotive LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
- 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ operating voltage, 256 Meg x 32 configuration
- LPDDR4, 2 die court, 535ps, tCK RL = 32/36 cycle time
- 2133 to 10MHz frequency range (data rate range: 4266–20Mb/s/ pin)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Programmable and on-the-fly burst lengths
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- 200-ball WFBGA package, operating temperature range from -40°C to +95°C
기술 사양
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
256M x 32bit
IC Case / Package
WFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
8Gbit
Clock Frequency Max
1.866GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001406