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HMT02N02S
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제조업체MULTICOMP PRO
제조업체 부품 번호HMT02N02S
주문 코드4295180
Product RangeMulticomp Pro N Channel MOSFETs
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제품 정보
제조업체MULTICOMP PRO
제조업체 부품 번호HMT02N02S
주문 코드4295180
Product RangeMulticomp Pro N Channel MOSFETs
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMulticomp Pro N Channel MOSFETs
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The HMT02N02S is a high-efficiency N-channel MOSFET optimized for low-voltage, low-current applications. It features very low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for precision control tasks. This MOSFET is ideal for use in small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and various switching applications where compact size and high performance are essential.
- Trench Power LV MOSFET Technology
- High Power and Current Handing Capability
애플리케이션
Power Supplies, DC/DC Converters, Telecom
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Multicomp Pro N Channel MOSFETs
MSL
-
기술 문서 (1)
HMT02N02S의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000009