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BSP250,115
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSP250,115
주문 코드1758086
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The BSP250,115 is a -30V P-channel Enhancement Mode vertical D-MOS Transistor with high speed switching and low on resistance makes this device suitable for use in low loss motor, actuator drivers and power switching applications.
- 150°C Junction temperature
애플리케이션
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001588