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GAN190-650EBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호GAN190-650EBEZ
주문 코드4198481
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11.5A
Drain Source On State Resistance0.138ohm
Typical Gate Charge2.8nC
Transistor Case StyleDFN8080
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.138ohm
Transistor Case Style
DFN8080
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
11.5A
Typical Gate Charge
2.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000012