페이지 인쇄
GAN7R0-150LBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 150 V, 28 A, 0.0056 ohm, 7.6 nC, FCLGA, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호GAN7R0-150LBEZ
주문 코드4198484RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.0056ohm
Typical Gate Charge7.6nC
Transistor Case StyleFCLGA
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0056ohm
Transistor Case Style
FCLGA
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
28A
Typical Gate Charge
7.6nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000833