페이지 인쇄
NGB15T65M3DFPJ
IGBT, 33 A, 1.53 V, 127 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
800 재고
더 필요하세요?
800 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,612 |
| 10+ | ₩2,161 |
| 100+ | ₩1,689 |
| 500+ | ₩1,474 |
| 1000+ | ₩1,371 |
| 5000+ | ₩1,302 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩3,612
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NGB15T65M3DFPJ
주문 코드4745451
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current33A
Collector Emitter Saturation Voltage1.53V
Power Dissipation127W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-263AB (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
NGB15T65M3DFPJ is a 650V, 15A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin D2PAK package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. NGB15T65M3DFP is rated to 175 °C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short circuit withstand time of 5 μs. This hard-switching 650 V, 15 A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and fast reverse recovery diode
기술 사양
Continuous Collector Current
33A
Power Dissipation
127W
Transistor Case Style
TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.53V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001