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NGB15T65M3DFPJ
IGBT, 33 A, 1.53 V, 127 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩1,689 |
| 500+ | ₩1,474 |
| 1000+ | ₩1,371 |
| 5000+ | ₩1,302 |
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제품 정보
제품 개요
NGB15T65M3DFPJ is a 650V, 15A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin D2PAK package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. NGB15T65M3DFP is rated to 175 °C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short circuit withstand time of 5 μs. This hard-switching 650 V, 15 A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and fast reverse recovery diode
기술 사양
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001