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NGW30T60M3DFQ
IGBT, 75 A, 1.4 V, 285 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,602 |
| 10+ | ₩3,049 |
| 100+ | ₩2,989 |
| 500+ | ₩2,928 |
| 1000+ | ₩2,867 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NGW30T60M3DFQ
주문 코드4241552
Product RangeField Stop Trench Series
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage1.4V
Power Dissipation285W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeField Stop Trench Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
NGW30T60M3DFQ is a 600V, 30A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW30T60M3DF is rated to 175 °C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short circuit withstand time of 5μs. This hard-switching 600V, 30A IGBT is optimized for high-voltage, low-frequency industrial power inverter and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and soft fast reverse recovery diode
기술 사양
Continuous Collector Current
75A
Power Dissipation
285W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
Field Stop Trench Series
Collector Emitter Saturation Voltage
1.4V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001