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PBSS8110Z,135
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PBSS8110Z,135
주문 코드2439554
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation650mW
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min150hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The PBSS8110Z is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a surface-mount plastic package with increased heat-sink.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
- PNP complement is PBSS9110Z
- PB8110 Marking code
애플리케이션
Industrial, Signal Processing, Motor Drive & Control, Automotive, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
SOT-223
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
150hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
650mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
PBSS8110Z,135의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001