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PEMB10,115
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PEMB10,115
주문 코드1758001
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual PNP
Digital Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo-50V
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Continuous Collector Current Ic-100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R12.2kohm
Resistor Ratio, R1 / R20.047(Ratio)
Base Emitter Resistor R247kohm
Transistor Case StyleSOT-666
RF Transistor CaseSOT-666
No. of Pins6 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation200mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min100hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
-50V
Continuous Collector Current Ic
-100mA
Continuous Collector Current
100mA
Resistor Ratio, R1 / R2
0.047(Ratio)
Transistor Case Style
SOT-666
No. of Pins
6 Pin
Power Dissipation
200mW
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Digital Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Base Input Resistor R1
2.2kohm
Base Emitter Resistor R2
47kohm
RF Transistor Case
SOT-666
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Hong Kong
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Hong Kong
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000006