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PSMN014-40HLDX
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0136 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PSMN014-40HLDX
주문 코드4078680RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id42A
Continuous Drain Current Id N Channel42A
On Resistance Rds(on)0.0114ohm
Continuous Drain Current Id P Channel42A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0136ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Transistor Case StyleLFPAK56D
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd46W
Power Dissipation N Channel46W
Power Dissipation P Channel46W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
42A
Continuous Drain Current Id P Channel
42A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0136ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
LFPAK56D
Power Dissipation Pd
46W
Power Dissipation P Channel
46W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
42A
On Resistance Rds(on)
0.0114ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
46W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000272