페이지 인쇄
A3M35TL039-EVB
Evaluation Board, A3M35TL039, Power Amplifier, Wireless Connectivity
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
2 재고
더 필요하세요?
2 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩537,822 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩537,822
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호A3M35TL039-EVB
주문 코드3923715
기술 데이터 시트
Silicon ManufacturerNXP
Silicon Core NumberA3M35TL039
Kit Application TypeWireless Connectivity
Application Sub TypeRF Power Amplifier
Core Architecture-
Core Sub-Architecture-
Silicon Family Name-
Kit ContentsEval Board A3M35TL039
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
A3M35TL039-EVB is a A3M35TL039 3400-3650MHz reference circuit. The A3M35TL039 is a fully integrated Doherty power amplifier module designed for wireless infrastructure applications that demand high performance in the smallest footprint. Ideal for applications in massive MIMO systems, outdoor small cells and low power remote radio heads. The field−proven LDMOS power amplifiers are designed for TDD and FDD LTE systems.
- 7W average power
- Advanced high performance in-package Doherty
- Fully matched (50 ohm input/output, DC blocked)
- Designed for low complexity analogue or digital linearization systems
기술 사양
Silicon Manufacturer
NXP
Kit Application Type
Wireless Connectivity
Core Architecture
-
Silicon Family Name
-
Product Range
-
Silicon Core Number
A3M35TL039
Application Sub Type
RF Power Amplifier
Core Sub-Architecture
-
Kit Contents
Eval Board A3M35TL039
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.02