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AFT20S015GNR1
RF FET Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
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제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호AFT20S015GNR1
주문 코드2890592
Product RangeAFT20S015GN
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation11W
Operating Frequency Min1.805GHz
Operating Frequency Max2.7GHz
Transistor Case StyleTO-270G
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product RangeAFT20S015GN
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
11W
Operating Frequency Max
2.7GHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
AFT20S015GN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.805GHz
Transistor Case Style
TO-270G
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003