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BFG591
Bipolar - RF Transistor, NPN, 15 V, 7 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
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제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호BFG591
주문 코드1081291
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max15V
Power Dissipation2W
Continuous Collector Current200mA
Transistor Case StyleSOT-223
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min90hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
BFG591의 대체 제품
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제품 개요
The BFG591 is a NPN silicon planar epitaxial Wideband Transistor features high power gain and low noise figure. Intended for applications in the GHz range such as MATV or CATV amplifiers.
- High transition frequency
- Gold metallization ensures excellent reliability
애플리케이션
RF Communications
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation
2W
Transistor Case Style
SOT-223
DC Current Gain hFE Min
90hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
15V
Continuous Collector Current
200mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Netherlands
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Netherlands
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000264