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제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호BFR520
주문 코드1081294
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max15V
Power Dissipation300mW
Continuous Collector Current70mA
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min120hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The BFR520 is a NPN silicon epitaxial planar Wideband Transistor encapsulated in a plastic package. The device is intended for RF front end wideband applications in the GHz range, such as analogue and digital cellular telephones, cordless telephones (CT2, CT3, PCN, DECT), radar detectors, pagers, satellite television tuners (SATV), MATV/CATV amplifiers and repeater amplifiers in fibre-optic systems.
- High power gain
- Low noise figure
- High transition frequency
- Gold metallization ensures excellent reliability
애플리케이션
Industrial, RF Communications, Communications & Networking, Fibre Optics, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation
300mW
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
120hFE
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
15V
Continuous Collector Current
70mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Netherlands
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Netherlands
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000033