페이지 인쇄
MRFE6VP5150GNR1
RF FET Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호MRFE6VP5150GNR1
주문 코드2985235
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds139V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation952W
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleTO-270WBG
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
- RF power LDMOS transistor
- Wide operating frequency range from 1.8 to 600MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection circuitry
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
139V
Power Dissipation
952W
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
TO-270WBG
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.007749