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FDC604P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDC604P
주문 코드9846417RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.5A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDC604P is a 1.8V specified P-channel MOSFET uses low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management, load switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.5A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000086