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2N3055G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Through Hole
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| 10+ | ₩4,281 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호2N3055G
주문 코드2101370
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation115W
Transistor Case StyleTO-204AA
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency2.5MHz
DC Current Gain hFE Min20hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The 2N3055G is a 60V Silicon NPN Bipolar Complementary Power Transistor designed for general purpose switching and amplifier applications.
- Excellent safe operating area
- DC Current gain(hFE = 20 to 70 at Ic = 4ADC)
- Collector-emitter saturation voltage(Vce (sat) = 1.1VDC maximum at Ic = 4ADC)
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-204AA
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
20hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
115W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
2.5MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
2N3055G의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.012021