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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호2N3906BU
주문 코드2453313
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation625mW
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The 2N3906BU is a -40V PNP Bipolar (BJT) Single Transistor, designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10µA to 100mA. This product is general usage and suitable for many different applications.
- -40V Collector to base voltage (VCBO)
- -5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 83.3°C/W Thermal resistance, junction to case
- 200°C/W Thermal resistance, junction to ambient
- 75ns Fall time (TA = 25°C)
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
TO-92
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
625mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
2N3906BU의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000454