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2N7002WT1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호2N7002WT1G
주문 코드2533171
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id340mA
Drain Source On State Resistance1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation330mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The 2N7002WT1G is a N-channel small signal Power MOSFET ideal for low power applications. It offers 60V drain source voltage and 310mA continuous drain current. It is suitable for low side load switch, level shift circuits, DC-to-DC converter, DSC and PDA applications.
- Low RDS (ON)
- Small footprint surface-mount package
- Halogen-free
- ESD Protected
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
340mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000055