페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
4,819 재고
더 필요하세요?
4819 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩825 |
| 10+ | ₩436 |
| 25+ | ₩417 |
| 50+ | ₩398 |
| 100+ | ₩378 |
| 500+ | ₩326 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩825
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 개요
The 4N35-M is a through hole general purpose phototransistor optocoupler in 6 pin DIP package. This optocoupler consist of gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon photo transistor. The device is mostly suitable for power supply regulators, digital logic inputs and microprocessor inputs.
- Minimum current transfer ratio of 100% at IF=10A, Vce=10V
- Isolation voltage of 4.17KVAC
- Forward current (If) of 60mA
- Single channel
- UL 1577 and DIN-EN IEC60747-5-5 approved
- Operating temperature range from -40°C to 100°C
기술 사양
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
6Pins
Isolation Voltage
7.5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Optocoupler Case Style
DIP
Forward Current If Max
60mA
CTR Min
100%
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000943