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BC847BPDW1T1G
Bipolar - RF Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, SOT-363
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BC847BPDW1T1G
주문 코드1653701
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max45V
Transition Frequency100MHz
Power Dissipation380mW
Continuous Collector Current100mA
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The BC847BPDW1T1G is a NPN-PNP dual General Purpose Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in a surface-mount package for low power applications.
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN, PNP
Transition Frequency
100MHz
Continuous Collector Current
100mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
380mW
Transistor Case Style
SOT-363
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
BC847BPDW1T1G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.09