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BDV64BG
Darlington Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,678 |
| 10+ | ₩3,297 |
| 100+ | ₩2,266 |
| 500+ | ₩2,215 |
| 1000+ | ₩2,198 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BDV64BG
주문 코드9555943
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd125W
DC Collector Current10A
Transistor Case StyleTO-247
RF Transistor CaseTO-247
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The BDV64BG is a -100V Silicon PNP Bipolar Darlington Plastic Power Transistor that can be used as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
125W
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
10A
RF Transistor Case
TO-247
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003856