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BSS138LT3G
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 5.6 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| 10+ | ₩133 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BSS138LT3G
주문 코드2101819
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance5.6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.75V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The BSS138LT3G is a N-channel Power MOSFET with low threshold voltage and ideal for low voltage applications. Miniature surface mount package saves board space.
- ±20VDC Continuous gate-to-source voltage
- 556°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
2.75V
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
5.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000006