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FDB2532
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDB2532
주문 코드1471029RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation310W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDB2532 is a PowerTrench® N-channel MOSFET suitable for synchronous rectification, battery protection circuit, uninterruptible power supplies and micro solar inverter.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
310W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002087