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FDB28N30TM
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 28 A, 0.129 ohm, TO-263AB, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDB28N30TM
주문 코드2453391RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.129ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation250W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDB28N30TM is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It is suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.
- Improved dV/dt capability
- 100% avalanche tested
- Fast switching
- 39nC typical low gate charge
- 35pF typical low Crss
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.129ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001312