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FDB52N20TM
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 52 A, 0.049 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDB52N20TM
주문 코드2453393
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source On State Resistance0.049ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation357W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The FDB52N20TM is an UniFET™ N-channel high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power and ATX.
- 100% avalanche tested
- 49nC typical low gate charge
- 66pF typical low Crss
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
357W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.049ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001312