페이지 인쇄
FDD306P
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 6.7 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
3,693 재고
더 필요하세요?
3693 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,902 |
| 50+ | ₩1,501 |
| 100+ | ₩1,027 |
| 500+ | ₩805 |
| 1000+ | ₩735 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 5
주문 배수수량: 5
₩9,510
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDD306P
주문 코드9958827
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id6.7A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation52W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDD306P is a 1.8V specified P-channel MOSFET uses advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.7A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
관련 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000605