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FDG6304P
Dual MOSFET, P Channel, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDG6304P
주문 코드2453405RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id410mA
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Continuous Drain Current Id N Channel410mA
Continuous Drain Current Id P Channel410mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.85ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.85ohm
Transistor Case StyleSC-70
Gate Source Threshold Voltage Max820mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd300mW
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel300mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id
410mA
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
410mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.85ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.85ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
820mV
Power Dissipation Pd
300mW
Power Dissipation P Channel
300mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
410mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SC-70
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000028