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FDMA291P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMA291P
주문 코드1324794RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6.6A
Drain Source On State Resistance0.042ohm
Transistor Case StyleµFET
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage700mV
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation2.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDMA291P is a 1.8V specified single P-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low ON-state resistance. The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
- Halogen-free
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
Transistor Case Style
µFET
Rds(on) Test Voltage
700mV
Power Dissipation
2.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005