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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMC2523P
주문 코드1324795
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StylePower 33
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation42W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The FDMC2523P is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It is well suited for low voltage applications such as audio amplifier and high efficiency switching DC-to-DC converters.
- Fast switching
- Improved dV/dt capability
- 6.2nC typical low gate charge
- 10pF typical low Crss
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
Power 33
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000049