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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMC510P
주문 코드1885764
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleMLP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation41W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDMC510P is a P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is suitable for battery management and load switch applications.
- High-performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- 100% UIL tested
- 2kV typical HBM ESD protection level
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
MLP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
41W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000066