페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
2,082 재고
더 필요하세요?
2082 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
수량 | 가격 |
---|---|
1+ | ₩4,351 |
10+ | ₩3,104 |
100+ | ₩2,069 |
500+ | ₩2,027 |
1000+ | ₩1,970 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩4,351
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMS86300DC
주문 코드2322593
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id76A
Drain Source On State Resistance2600µohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDMS86300DC is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest RDS (ON) while maintaining excellent switching performance by extremely low junction-to-ambient thermal resistance. It is suitable as synchronous rectifier for DC-to-DC converters.
- Dual Cool™ top side cooling package
- High performance technology for extremely low RDS (ON)
- 100% UIL tested
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
76A
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000816