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FDN336P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDN336P
주문 코드1467975RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDN336P is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion. The SuperSOT™-3 provides low RDS (ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 3.6nC typical low gate charge
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000398