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FDN340P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDN340P
주문 코드2438445
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The FDN340P is -20V single P channel 2.5V specified powerTrench MOSFET in SOT-23 package. This MOSFET is produced using PowerTrench process to minimize on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Applicable at portable electronics, load switching, power management, battery charging circuits and DC to DC conversion.
- High performance trench technology for extremely low Rds(on)
- Low gate charge typically 7.2 nC
- Drain to source voltage (Vds) of -20V
- Gate to source voltage of ±8V
- Continuous drain current of -2A
- Power dissipation Pd of 500mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
FDN340P의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001