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FDN352AP
MOSFET, P, SMD, 3-SUPERSOT
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩592 |
| 50+ | ₩499 |
| 100+ | ₩406 |
| 500+ | ₩292 |
| 1500+ | ₩287 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDN352AP
주문 코드1467977
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDN352AP is a P-channel Logic Level MOSFET produced using advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss is needed in a very small outline surface mount package.
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.003175