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FDPF55N06
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,152 |
| 10+ | ₩1,371 |
| 100+ | ₩1,264 |
| 500+ | ₩1,244 |
| 1000+ | ₩1,224 |
| 5000+ | ₩1,203 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDPF55N06
주문 코드3003956
Product RangeUniFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation48W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDPF55N06 is tailored ti reduce in-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factorfactor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power. ATX and electronic lamp ballasts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005