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FDS2572
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 4.9 A, 0.047 ohm, SOIC, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,490 |
| 10+ | ₩2,337 |
| 100+ | ₩1,646 |
| 500+ | ₩1,317 |
| 1000+ | ₩1,209 |
| 5000+ | ₩1,185 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS2572
주문 코드9845186
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id4.9A
Drain Source On State Resistance0.047ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDS2572 is an UltraFET® Trench N-channel MOSFET combines characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for RDS (ON), low ESR, low total and Miller gate charge. It is ideal for high frequency DC to DC converters, 48V I/P half-bridge/full-bridge, 24V forward and push-pull topologies.
- Low QRR body diode
- Maximized efficiency at high frequencies
- UIS Rated
애플리케이션
Power Management, Communications & Networking, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.9A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.047ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000225