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FDS3672
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 7.5 A, 0.023 ohm, SOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS3672
주문 코드1495207
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5mW
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The FDS3672 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for high voltage synchronous rectifier, DC-to-DC converters and off-line UPS, distributed power architectures and VRMs, primary switch for 24 and 48V systems.
- Low miller charge
- Low QRR body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
FDS3672의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000227