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FDS6679AZ
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS6679AZ
주문 코드1700668
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance7700µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDS6679AZ is a P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. This device is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
- 6kV typical HBM ESD protection level
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
7700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
FDS6679AZ의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000225