페이지 인쇄
FDS6975.
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 6 A
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
입고 시 알림 요청
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩1,237 |
| 500+ | ₩991 |
| 1000+ | ₩871 |
| 5000+ | ₩854 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 100
주문 배수수량: 1
₩123,700
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS6975.
주문 코드9844902RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.032ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDS6975 is a dual P-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for notebook computer applications load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
애플리케이션
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
0.032ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
FDS6975.의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000462