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FDS86240
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 7.5 A, 0.0173 ohm, SOIC, Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩4,065 |
| 10+ | ₩3,179 |
| 100+ | ₩2,321 |
| 500+ | ₩2,166 |
| 1000+ | ₩2,026 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS86240
주문 코드2083338
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.0173ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The FDS86240 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness. It is suitable for DC-to-DC converters, off-line UPS and high voltage synchronous rectifier applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- 100% UIL tested
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0173ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000134