페이지 인쇄
FDS9945
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
2,353 재고
2,500 지금 제품을 예약하실 수 있습니다
20 1-2 영업일 이내 배송(싱가폴 재고)
2282 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
51 6-8 영업일 이내 배송(미국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,006 |
| 50+ | ₩796 |
| 100+ | ₩585 |
| 500+ | ₩468 |
| 1000+ | ₩434 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 5
주문 배수수량: 5
₩5,030
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS9945
주문 코드1700660
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel3.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.1ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
FDS9945의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000454