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FDU3N40TU
Power MOSFET, N Channel, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
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| 10+ | ₩879 |
| 100+ | ₩668 |
| 500+ | ₩558 |
| 1000+ | ₩424 |
| 5000+ | ₩421 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDU3N40TU
주문 코드3368785
Product RangeUniFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds400V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance2.8ohm
Transistor Case StyleTO-251
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
제품 개요
메모
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
TO-251
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
400V
Drain Source On State Resistance
2.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002