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FDV304P
Power MOSFET, P Channel, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDV304P
주문 코드2438464
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id460mA
Drain Source On State Resistance1.1ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max860mV
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDV304P is a P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize ON-state resistance at low gate drive conditions. It is designed especially for application in battery power applications. It has excellent ON-state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation
- Gate-source zener for ESD ruggedness, <gt/>6kV human body mode
- Compact industry standard surface-mount package
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
460mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
860mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
FDV304P의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001